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アイテム
Nanostructure fabrication by selective growth of molecular crystals on layered material substrates
https://sucra.repo.nii.ac.jp/records/13219
https://sucra.repo.nii.ac.jp/records/1321901ddf4bb-74fa-4e3d-916a-1774aada538f
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
A1002597.pdf (264.7 kB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2008-04-11 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Nanostructure fabrication by selective growth of molecular crystals on layered material substrates | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
上野, 啓司
× 上野, 啓司× Sasaki, K× Takeda, N× 斉木, 幸一朗× 小間, 篤 |
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| 著者 ローマ字 | ||||||
| 値 | Ueno, Keiji | |||||
| 著者 ローマ字 | ||||||
| 値 | Sasaki K, | |||||
| 著者 ローマ字 | ||||||
| 値 | Takeda N, | |||||
| 著者 ローマ字 | ||||||
| 値 | Saiki, Koichiro | |||||
| 著者 ローマ字 | ||||||
| 値 | Koma, Atsushi | |||||
| 著者 所属 | ||||||
| 値 | 東京大学大学院理学系研究科(現 : 埼玉大学大学院理工学研究科物質科学部門) | |||||
| 著者 所属(別言語) | ||||||
| 値 | Department of Chemistry, The University of Tokyo(Present : Graduate School of Science and Engineering, Saitama University) | |||||
| 著者 所属(別言語) | ||||||
| 値 | Department of Chemistry, The University of Tokyo | |||||
| 著者 所属(別言語) | ||||||
| 値 | Department of Chemistry, The University of Tokyo | |||||
| 著者 所属(別言語) | ||||||
| 値 | Department of Chemistry, The University of Tokyo | |||||
| 著者 所属(別言語) | ||||||
| 値 | Department of Chemistry, The University of Tokyo | |||||
| 書誌情報 |
APPLIED PHYSICS LETTERS 巻 70, 号 9, p. 1104-1106, 発行日 1997 |
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| 年月次 | ||||||
| 値 | 1997-3 | |||||
| 出版者名 | ||||||
| 出版者 | American Institute of Physics | |||||
| 収録物識別子 | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 00036951 | |||||
| DOI | ||||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | info:doi/10.1063/1.118498 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | Nanostructures consisting of C_<60> molecules were fabricated on a GaSe/MoS_2 heterostructure. A submonolayer film of a lamellar compound semiconductor GaSe was grown on a MoS_2 substrate to form nanoscale holes or grooves surrounded by monolayer steps. Atomic force microscope (AFM) observation indicates that C_<60> molecules grow only in the bare MoS2 nanoregions at a substrate temperature of 180 degrees C. C_<60> molecules fill up those holes and grooves, and nanoscale C_<60> domains with polygonal shapes can be formed. This selective growth method can be combined with nanoscale patterning made by a scanning-tunneling microscope or AFM to produce nanostructures of molecular crystals with designed shapes. (c) 1997 American Institute of Physics. | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | text | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 作成日 | ||||||
| 日付 | 2008-04-11 | |||||
| 日付タイプ | Created | |||||
| アイテムID | ||||||
| 値 | A1002597 | |||||
