@article{oai:sucra.repo.nii.ac.jp:00013078,
 author = {吉田, 貞史 and 吉川, 正人 and 大島, 武 and 伊藤, 久義 and 梨山, 勇 and 高橋, 芳宏 and 大西, 一功 and 奥村, 元},
 issue = {1},
 journal = {電子情報通信学会論文誌. C-II, エレクトロニクス, II-電子素子・応用},
 month = {},
 note = {宇宙環境で使用される半導体素子には，高温での素子動作ばかりでなく強い耐放射線性が要求される．今回我々は，広いバンドギャップをもつ炭化けい素半導体を用いて作製したMOS構造素子のγ線照射効果を調べた．また酸化膜中の電荷分布の照射による変化も併せて調べ，γ線照射効果のメカニズムを追求した．, copyright(c)1998 
IEICE許諾番号：08RB0010　
http://search.ieice.org/index.html, text, application/pdf},
 pages = {140--150},
 title = {炭化けい素半導体MOS構造のγ線照射効果とそのメカニズム(ワイドギャップ半導体とそのデバイス応用論文小特集)},
 volume = {J81-C-2},
 year = {1998},
 yomi = {ヨシダ, サダフミ}
}