@article{oai:sucra.repo.nii.ac.jp:00016728,
 author = {中原, 良彦 and 土肥, 俊郎 and 瀬山, 貴司 and 尾形, 謙次郎},
 journal = {埼玉大学地域共同研究センター紀要, Report of Cooperative Research Center, Saitama University},
 month = {},
 note = {We developed the advanced chemo-mechanical pol ishing (CMP) technologies for Silicon Carbide (SiC) single crystal. In O2 atmosphere, we got the enough pol ishing rate on Si surface of 4H-SiC crystal. And we also got the enough pol ishing rate on same surface by adding H2O2
SiC半導体は有利な物性を持ち、次世代のデバイスとして注目されている。しかしSiCは難加工物質であり、従来のCMP加工条件のままでは加工が困難である。そこで本研究では試作したBeｌl-Jar型CMP装置を用い、加工雰囲気を調整し、従来とは異なるアプローチで高品位かつ効率的なSiCのCMP加工を検討した。また、上記結果を大気中でのCMPに応用できるかどうかを検討した。, text, application/pdf},
 pages = {1--3},
 title = {SiC単結晶の研磨加工技術に関する基礎研究},
 volume = {5},
 year = {2005}
}