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Fundamental Properties of Chemical Mechanical Polishing for Copper Layer Assisted by Optical Radiation Pressure(<Special Issue>Advanced Manufacturing Technology)
https://sucra.repo.nii.ac.jp/records/12398
https://sucra.repo.nii.ac.jp/records/12398bc10095d-0bba-4411-9b6a-99d26a1aa46e
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
A1003344.pdf (1.4 MB)
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| Item type | 学術雑誌論文 / Journal Article(1) | |||||
|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2010-02-23 | |||||
| タイトル | ||||||
| タイトル | Fundamental Properties of Chemical Mechanical Polishing for Copper Layer Assisted by Optical Radiation Pressure(<Special Issue>Advanced Manufacturing Technology) | |||||
| 言語 | ||||||
| 言語 | eng | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Cu-CMP | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Optical Radiation Pressure | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | SiO_2 Particle | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Surface Planarization | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Laser Assisted Polishing | |||||
| キーワード | ||||||
| 主題Scheme | Other | |||||
| 主題 | Laser Trapping | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||
| 資源タイプ | journal article | |||||
| 著者 |
辻尾, 良輔
× 辻尾, 良輔× 三好, 隆志× 高谷, 裕浩× 木村, 景一 |
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| 著者 ローマ字 | ||||||
| 値 | TSUJIO, Ryosuke | |||||
| 著者 ローマ字 | ||||||
| 値 | MIYOSHI, Takashi | |||||
| 著者 ローマ字 | ||||||
| 値 | TAKAYA, Yasuhiro | |||||
| 著者 ローマ字 | ||||||
| 値 | KIMURA, Keiichi | |||||
| 著者 所属 | ||||||
| 値 | 大阪大学工学研究科機械システム工学専攻 | |||||
| 著者 所属 | ||||||
| 値 | 大阪大学工学研究科機械システム工学専攻 | |||||
| 著者 所属 | ||||||
| 値 | 大阪大学工学研究科機械システム工学専攻 | |||||
| 著者 所属 | ||||||
| 値 | 埼玉大学教育学部 | |||||
| 著者 所属(別言語) | ||||||
| 値 | Department of Mechanical Engineering and Systems, Osaka University | |||||
| 著者 所属(別言語) | ||||||
| 値 | Department of Mechanical Engineering and Systems, Osaka University | |||||
| 著者 所属(別言語) | ||||||
| 値 | Department of Mechanical Engineering and Systems, Osaka University | |||||
| 著者 所属(別言語) | ||||||
| 値 | Faculty of Education, Saitama University | |||||
| 書誌情報 |
JSME international journal. Series C, Mechanical systems, machine elements and manufacturing 巻 47, 号 1, p. 85-92, 発行日 2004 |
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| 年月次 | ||||||
| 値 | 2004-3 | |||||
| 出版者名 | ||||||
| 出版者 | 社団法人日本機械学会 | |||||
| 収録物識別子 | ||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||
| 収録物識別子 | 13447653 | |||||
| DOI | ||||||
| 関連タイプ | isIdenticalTo | |||||
| 識別子タイプ | DOI | |||||
| 関連識別子 | info:doi/10.1299/jsmec.47.85 | |||||
| 抄録 | ||||||
| 内容記述タイプ | Abstract | |||||
| 内容記述 | This paper presents a corrective Cu-CMP (Chemical Mechanical Polishing) method for obtaining higher planarized surface by forming laser aggregation particles on recessed areas of uneven copper surface before polishing. At first, the component analysis and formation condition of aggregated particles were investigated, which is obtained by laser irradiation into the slurry on the copper surface. This result indicated that the aggregated marks were purely made of SiO_2 particles contained in slurry and the height of particle aggregation could be controlled by laser irradiation condition. Next, proposed planarization method for uneven surface of copper layer was attempted. As the polishing progressed, the height of aggregated marks was reduced. Then, it was confirmed that the aggregated marks play a role of masks, and no material removal at the bottom surface of recessed areas takes place during the polishing. This process made it possible to realize high planarity on copper surface. | |||||
| 注記 | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | rights: 社団法人日本機械学会 rights: 本文データは学協会の許諾に基づきCiNiiから複製したものである relation: IsVersionOf:http://ci.nii.ac.jp/naid/110004820711 |
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| 版 | ||||||
| 値 | [出版社版] | |||||
| 出版タイプ | ||||||
| 出版タイプ | VoR | |||||
| 出版タイプResource | http://purl.org/coar/version/c_970fb48d4fbd8a85 | |||||
| 資源タイプ | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | text | |||||
| フォーマット | ||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||
| 作成日 | ||||||
| 日付 | 2010-02-23 | |||||
| 日付タイプ | Created | |||||
| アイテムID | ||||||
| 値 | A1003344 | |||||
