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アイテム
大型湿地植生の洪水によるダメージと回復過程を考慮した適正洪水導入規模に関する研究
https://sucra.repo.nii.ac.jp/records/11235
https://sucra.repo.nii.ac.jp/records/112357ed36fab-3595-4c1f-afd7-a37a07213b79
名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
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KP16A04-58.pdf (171.3 kB)
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Item type | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||
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公開日 | 2007-03-09 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 大型湿地植生の洪水によるダメージと回復過程を考慮した適正洪水導入規模に関する研究 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||
資源タイプ | research report | |||||
タイトル(別言語) | ||||||
その他のタイトル | Appropriate flood intensity analysis to a wetland in old meandering river trace considering the damage by floods and re-growth process of emergent macrophytes | |||||
著者 |
田中, 規夫
× 田中, 規夫 |
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著者 ローマ字 | ||||||
値 | Tanaka, Norio | |||||
著者 所属 | ||||||
値 | 埼玉大学大学院理工学研究科 | |||||
著者 所属(別言語) | ||||||
値 | Graduate School of Science and Engineering, Saitama University | |||||
書誌情報 |
総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書 巻 16年度, 発行日 2005 |
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年月次 | ||||||
値 | 2005 | |||||
出版者名 | ||||||
出版者 | 埼玉大学総合研究機構 | |||||
抄録 | ||||||
内容記述タイプ | Abstract | |||||
内容記述 | The rapid recrystallization of amorphous silicon a-Si has been extensively studied using laser annealing, infrared (IR)-lamp heating and rapid thermal annealing (RTA) for further enlargement of the crystalline grain size and improvement of the performance of poly-Si thin film transistors (TFTs) [1-5]. Recently, the argon microplasma jet at ambient pressure has been applied for the rapid recrystallization of a-Si. Highly crystallized poly-Si films were synthesized up to ~2-μm-thick a-Si films by adjusting the rf power Prf, translating velocity of substrate stage and flow rate of Ar Fr(Ar) [6]. In this paper, we report the rapid recrystallization of a-Si and its related materials such as a-Si(P), a-Si(B), a-SiGe, and a-SiOH using rf microplasma jets of argon at ambient pressure. |
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資源タイプ | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | text | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
作成日 | ||||||
日付 | 2007-03-05 | |||||
日付タイプ | Created | |||||
アイテムID | ||||||
値 | KP16A04-58 |