WEKO3
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酸化膜/炭化珪素半導体界面の窒素による界面順位密度低減のメカニズム解明
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名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
---|---|---|
![]() |
|
Item type | 研究報告書 / Research Paper(1) | |||||
---|---|---|---|---|---|---|
公開日 | 2007-12-14 | |||||
タイトル | ||||||
タイトル | 酸化膜/炭化珪素半導体界面の窒素による界面順位密度低減のメカニズム解明 | |||||
言語 | ||||||
言語 | jpn | |||||
資源タイプ | ||||||
資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_18ws | |||||
資源タイプ | research report | |||||
タイトル(別言語) | ||||||
その他のタイトル | A study on reduction mechanism of interface state density using nitridation of oxide/SiC semiconductor interface | |||||
著者 |
土方, 泰斗
× 土方, 泰斗 |
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著者 ローマ字 | ||||||
Hijikata, Yasuto | ||||||
著者 所属 | ||||||
埼玉大学大学院理工学研究科数理電子情報部門 | ||||||
著者 所属(別言語) | ||||||
Graduate School of Science and Engineering, Saitama University | ||||||
著者 役割 | ||||||
プロジェクト代表者 | ||||||
書誌情報 |
総合研究機構研究プロジェクト研究成果報告書 巻 第5号(18年度), p. 592-593, 発行日 2007 |
|||||
年月次 | ||||||
2007 | ||||||
出版者名 | ||||||
出版者 | 埼玉大学総合研究機構 | |||||
注記 | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | 4 若手研究及び基礎研究 | |||||
資源タイプ | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | text | |||||
フォーマット | ||||||
内容記述タイプ | Other | |||||
内容記述 | application/pdf | |||||
作成日 | ||||||
日付 | 2007-12-13 | |||||
日付タイプ | Created | |||||
アイテムID | ||||||
KP18A06-644 |