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InN/InGaN 系結晶の基礎物性解明および結晶成長のための基板探索 : RF-MBE 法によるサファイアR 面基板上へのA面InN の結晶成長
https://doi.org/10.24561/00016824
https://doi.org/10.24561/00016824e9142938-ad5e-45be-9571-707a67735442
| 名前 / ファイル | ライセンス | アクション |
|---|---|---|
KY-AA11808968-08-16.pdf (690.9 kB)
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| Item type | 紀要論文 / Departmental Bulletin Paper(1) | |||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 公開日 | 2009-02-25 | |||||||||||||||||
| タイトル | ||||||||||||||||||
| タイトル | InN/InGaN 系結晶の基礎物性解明および結晶成長のための基板探索 : RF-MBE 法によるサファイアR 面基板上へのA面InN の結晶成長 | |||||||||||||||||
| 言語 | ||||||||||||||||||
| 言語 | jpn | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | InN | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | molecular beam epitaxy | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | nonpolar | |||||||||||||||||
| キーワード | ||||||||||||||||||
| 主題Scheme | Other | |||||||||||||||||
| 主題 | photoluminescence | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 資源タイプ識別子 | http://purl.org/coar/resource_type/c_6501 | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | departmental bulletin paper | |||||||||||||||||
| ID登録 | ||||||||||||||||||
| ID登録 | 10.24561/00016824 | |||||||||||||||||
| ID登録タイプ | JaLC | |||||||||||||||||
| タイトル（別言語） | ||||||||||||||||||
| その他のタイトル | RF-MBE Growth of a-plane InN on r-plane sapphire substrates | |||||||||||||||||
| 著者 |
吉田, 貞史
× 吉田, 貞史
× 矢口, 裕之
× 折原, 操
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| 著者 ローマ字 | ||||||||||||||||||
| 値 | Yoshida, Sadafumi | |||||||||||||||||
| 著者 ローマ字 | ||||||||||||||||||
| 値 | Yaguchi, Hiroyuki | |||||||||||||||||
| 著者 ローマ字 | ||||||||||||||||||
| 値 | Orihara, Misao | |||||||||||||||||
| 著者 所属 | ||||||||||||||||||
| 値 | 埼玉大学大学院理工学研究科 | |||||||||||||||||
| 著者 所属 | ||||||||||||||||||
| 値 | 埼玉大学大学院理工学研究科 | |||||||||||||||||
| 著者 所属 | ||||||||||||||||||
| 値 | 埼玉大学工学部 | |||||||||||||||||
| 著者 所属(別言語) | ||||||||||||||||||
| 値 | Graduate School of Science and Engineering, Saitama University | |||||||||||||||||
| 著者 所属(別言語) | ||||||||||||||||||
| 値 | Graduate School of Science and Engineering, Saitama University | |||||||||||||||||
| 著者 所属(別言語) | ||||||||||||||||||
| 値 | Faculty of Engineering, Saitama University | |||||||||||||||||
| 書誌情報 |
埼玉大学地域共同研究センター紀要 en : Report of Cooperative Research Center, Saitama University 巻 8, p. 48-51, 発行日 2008 |
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| 年月次 | ||||||||||||||||||
| 値 | 2007 | |||||||||||||||||
| 出版者名 | ||||||||||||||||||
| 出版者 | 埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門 | |||||||||||||||||
| ISSN | ||||||||||||||||||
| 収録物識別子タイプ | ISSN | |||||||||||||||||
| 収録物識別子 | 13474758 | |||||||||||||||||
| 概要 | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||
| 内容記述 | The improvement of the surface morphology of a-plane InN films grown by RF molecular beam epitaxy is reported. Using low-temperature (LT) InN buffer layers, we could successfully obtain InN films with a smooth surface. The full width at half maximum of the x-ray diffraction (11-20) rocking curve along the [0001] InN direction was 2200 arcsec for a-plane InN samples grown at 450°C with a LT-InN buffer layer. Thus, we could improve also the crystalline quality of a-plane InN films by using LT-InN buffer layers. We observed strong polarization anisotropy in the photoluminescence spectra of a-plane InN, which is typical of nonpolar wurtzite III-nitride films. | |||||||||||||||||
| 資源タイプ | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||
| 内容記述 | text | |||||||||||||||||
| フォーマット | ||||||||||||||||||
| 内容記述タイプ | Other | |||||||||||||||||
| 内容記述 | application/pdf | |||||||||||||||||
| 作成日 | ||||||||||||||||||
| 日付 | 2009-02-25 | |||||||||||||||||
| 日付タイプ | Created | |||||||||||||||||
| アイテムID | ||||||||||||||||||
| 値 | KY-AA11808968-08-16 | |||||||||||||||||
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Cite as
吉田, 貞史, 矢口, 裕之, 折原, 操, 2008, InN/InGaN 系結晶の基礎物性解明および結晶成長のための基板探索 : RF-MBE 法によるサファイアR 面基板上へのA面InN の結晶成長: 埼玉大学総合研究機構地域共同研究センター産学連携推進部門, 48–51 p.
